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Propriétés thermodynamiques d’un composé de type Heusler NiHfGe

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dc.contributor.author Guemmour, Rachida
dc.date.accessioned 2020-09-24T10:47:46Z
dc.date.available 2020-09-24T10:47:46Z
dc.date.issued 2020-06-25
dc.identifier.citation Bendahma Fatima en_US
dc.identifier.uri http://e-biblio.univ-mosta.dz/handle/123456789/15666
dc.description.abstract Dans cette recherche, les calculs ont été réalisés en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéaires à plein potentiel (FP-LAPW) dans le cadre de l'approximation du gradient généralisé (GGA). Les propriétés structurales, électroniques et thermodynamiques de l'alliage ternaire NiHfGe Half-Heusler ont été étudiées en utilisant la première théorie de la fonction de densité de principe (DFT). Les résultats trouvés révèlent que NiHfGe est un semiconducteur à bande interdite indirecte. Grâce au modèle de Debye quasi-harmonique, le volume (V), la capacité thermique (Cv), l'entropie (S) et la température de Debye (θD) sont étudiés. Mots-clés: Half-Heusler; approximation du gradient généralisé (GGA), comportement des semi-conducteurs, propriétés thermodynamiques. Abstract In this research, the computations have been achieved using the full potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method within the framework of generalized gradient approximation (GGA). The structural, electronic and thermodynamic properties of ternary NiHfGe Half-Heusler alloy have been investigated by using the first principle density function theory (DFT). The calculated results reveal that NiHfGe is indirect band gap semiconductor. Through the quasi-harmonic Debye model the volume (V), heat capacity (Cv), entropy (S) and Debye temperature (θD) are investigated. Keywords: Half-Heusler; generalized gradient approximation (GGA), semiconductor behavior, thermodynamic properties.ملخص في ھذا البحث، تم تحقیق الحسابات باستخدام أسلوب الموجة المستویة الخطي المحتمل الكامل ) (FP-LAPWضمن إطار تقریب التدرج المعمم) .(GGAتم التحقق من الخصائص الھیكلیة والإلكترونیة والحراریة الدینامیكیة لسبائك NiHfGe Half-Heuslerالثلاثیة باستخدام نظریة دالة الكثافة الأساسیة الأولى ).(DFTأظھرت النتائج المحسوبة أن NiHfGe ھومن أشباه الموصلات لھ فجوة النطاق غیر المباشر. من خلال نموذج Debyeشبھ التوافقي، تم فحص الحجم )، (V السعة الحراریة ) ، (Cvالكون ) (Sودرجة حرارة. (θD) Debye الكلمات الرئیسیة: نصف .Heuslerتقریب التدرج المعمم ) ، (GGAسلوك أشباه الموصلات ، الخصائص الدینامیكیة الحراریة en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.subject Half-Heusler en_US
dc.subject approximation du gradient généralisé (GGA) en_US
dc.subject comportement des semi-conducteurs en_US
dc.subject propriétés thermodynamiques en_US
dc.title Propriétés thermodynamiques d’un composé de type Heusler NiHfGe en_US
dc.type Other en_US


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