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dc.contributor.author |
Guemmour, Rachida |
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dc.date.accessioned |
2020-09-24T10:47:46Z |
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dc.date.available |
2020-09-24T10:47:46Z |
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dc.date.issued |
2020-06-25 |
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dc.identifier.citation |
Bendahma Fatima |
en_US |
dc.identifier.uri |
http://e-biblio.univ-mosta.dz/handle/123456789/15666 |
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dc.description.abstract |
Dans cette recherche, les calculs ont été réalisés en utilisant la méthode des ondes planes
augmentées linéaires à plein potentiel (FP-LAPW) dans le cadre de l'approximation du
gradient généralisé (GGA). Les propriétés structurales, électroniques et thermodynamiques de
l'alliage ternaire NiHfGe Half-Heusler ont été étudiées en utilisant la première théorie de la
fonction de densité de principe (DFT). Les résultats trouvés révèlent que NiHfGe est un semiconducteur à bande interdite indirecte. Grâce au modèle de Debye quasi-harmonique, le
volume (V), la capacité thermique (Cv), l'entropie (S) et la température de Debye (θD) sont
étudiés.
Mots-clés: Half-Heusler; approximation du gradient généralisé (GGA), comportement des
semi-conducteurs, propriétés thermodynamiques.
Abstract
In this research, the computations have been achieved using the full potential linearized
augmented plane wave (FP-LAPW) method within the framework of generalized gradient
approximation (GGA). The structural, electronic and thermodynamic properties of ternary
NiHfGe Half-Heusler alloy have been investigated by using the first principle density
function theory (DFT). The calculated results reveal that NiHfGe is indirect band gap
semiconductor. Through the quasi-harmonic Debye model the volume (V), heat capacity
(Cv), entropy (S) and Debye temperature (θD) are investigated.
Keywords: Half-Heusler; generalized gradient approximation (GGA), semiconductor
behavior, thermodynamic properties.ملخص
في ھذا البحث، تم تحقیق الحسابات باستخدام أسلوب الموجة المستویة الخطي المحتمل الكامل ) (FP-LAPWضمن إطار
تقریب التدرج المعمم) .(GGAتم التحقق من الخصائص الھیكلیة والإلكترونیة والحراریة الدینامیكیة لسبائك NiHfGe
Half-Heuslerالثلاثیة باستخدام نظریة دالة الكثافة الأساسیة الأولى ).(DFTأظھرت النتائج المحسوبة أن NiHfGe
ھومن أشباه الموصلات لھ فجوة النطاق غیر المباشر. من خلال نموذج Debyeشبھ التوافقي، تم فحص الحجم )، (V
السعة الحراریة ) ، (Cvالكون ) (Sودرجة حرارة. (θD) Debye
الكلمات الرئیسیة: نصف .Heuslerتقریب التدرج المعمم ) ، (GGAسلوك أشباه الموصلات ، الخصائص الدینامیكیة
الحراریة |
en_US |
dc.language.iso |
fr |
en_US |
dc.subject |
Half-Heusler |
en_US |
dc.subject |
approximation du gradient généralisé (GGA) |
en_US |
dc.subject |
comportement des semi-conducteurs |
en_US |
dc.subject |
propriétés thermodynamiques |
en_US |
dc.title |
Propriétés thermodynamiques d’un composé de type Heusler NiHfGe |
en_US |
dc.type |
Other |
en_US |
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