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dc.contributor.author |
BELBEY, Linda |
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dc.date.accessioned |
2022-03-23T09:05:25Z |
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dc.date.available |
2022-03-23T09:05:25Z |
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dc.date.issued |
2021-07 |
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dc.identifier.uri |
http://e-biblio.univ-mosta.dz/handle/123456789/20509 |
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dc.description.abstract |
L’étude effectuée dans ce mémoire est basée sur le modèle des électrons libres et celui des électrons faiblement liés. Nous nous sommes intéressés à quelques paramètres physiques connus pour être des caractéristiques de certains types de cristaux et nous les avons développés avec comme objectif visé: observer leur comportement en fonction de la température dans un métal de volume V0 et dans une chaîne monoatomique semiconductrice de paramètre « a », sous l’effet de la dilatation 0 thermique.
Dans un métal de température de Fermi de 23220 K et de coefficient de dilatation thermique volumique λV=10 K-4-1, l’étude a permis d’aboutir à de nouvelles formes théoriques des expressions de ces paramètres après avoir remplacé le volume V0 par V0(1+λVT)) dans l’expression de la densité d’états.
Les résultats montrent que certains paramètres subissent un accroissement alors que d’autres une décroissance à partir d’une température tournant autour de 500°K et qui deviennent conséquent(e) au fur et à mesure que la température et le coefficient de dilatation s’élèvent.
En dessous de cette
température, l’effet de la dilatation peut être considéré comme négligeable et l’hypothèse d’un paramètre à volume constant peut être envisagée sans risque d’erreur.
Dans un semiconducteur intrinsèque de gap U1= 0,1 eV et de paramètre de maille a0= 6,13 m, ce dernier a été également remplacé par a0(1+λT)-1010 dans l’expression de la densité d’états.
L’étude a porté sur le nombre, la densité de porteurs de charges, et l’énergie de Fermi sous l’influence de la dilatation thermique.
Les résultats indiquent que la dilatation thermique y prend sérieusement
effet à partir de 600 °K. Elle contribue à l’augmentation du nombre de porteurs de charge lorsque la longueur passe de 1 à 1+λT.
L’énergie de Fermi EF reste tout à fait insensible à la dilatation thermique
et aux variations de la température. Quant à la densité des porteurs de charge, elle subit une variation relative positive de 3% à la température ambiante et atteint les 8,5 % à 850 K, ce qui permet de considérer l’effet de dilatation thermique négligeable en dessous de 600 K sans risque de commettre là aussi de grosses erreurs. |
en_US |
dc.language.iso |
fr |
en_US |
dc.relation.ispartofseries |
MPHY103; |
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dc.subject |
Densité des porteurs de charge électrons |
en_US |
dc.subject |
Nombre de porteurs de charges |
en_US |
dc.subject |
Largeur de bande interdite |
en_US |
dc.subject |
Masse effective |
en_US |
dc.subject |
semiconducteur intrinsèque |
en_US |
dc.subject |
Potentiel périodique |
en_US |
dc.subject |
Susceptibilité paramagnétique des électrons libres |
en_US |
dc.subject |
chaleur spécifique des électrons libres |
en_US |
dc.subject |
Energie moyenne de l’électron libre |
en_US |
dc.subject |
Energie de Fermi |
en_US |
dc.subject |
Densité d’états |
en_US |
dc.subject |
Dilatation thermique |
en_US |
dc.subject |
Densité électronique des électrons libres |
en_US |
dc.subject |
Modèle des électrons faiblement liés |
en_US |
dc.subject |
Modèle de Sommerfeld |
en_US |
dc.title |
L’effet de la dilatation thermique sur certains paramètres physiques d’un solide cristallin |
en_US |
dc.type |
Other |
en_US |
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