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Introduction au calcul ab-initio par la DFT de la structure électronique.

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dc.contributor.author DENDANE Naima
dc.contributor.author ZITOUNI Ali
dc.contributor.author FARES Zineb
dc.contributor.author BENATMANE Saadiya
dc.date.accessioned 2023-09-12T07:53:18Z
dc.date.available 2023-09-12T07:53:18Z
dc.date.issued 2023
dc.identifier.uri http://e-biblio.univ-mosta.dz/handle/123456789/24112
dc.description.abstract Récemment, il y a un intérêt considérable pour le magnétisme dans un certain nombre de systèmes contenant uniquement des électrons s et p. Les propriétés structurales, magnétiques, électroniques et élastiques de l’heusler N2BaCa ont été étudies en utilisant la méthode de calcul des ondes planes augmentées (FP-LAPW) qui se base sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), implémentée dans le code Wien2k. Dans cette approche, l’approximation du gradient généralisé Perdew-BurkeErnzerhof (PBE-GGA) a été utilise pour le terme du potentiel d'échange et de corrélation. La dépendance en composition des propriétés structurales, magnétiques et électroniques à savoir, le paramètre de maille, le module de compressibilité, le moment magnétique et le gap d’énergie ont été analysé. On remarque que la valeur du moment magnétique total de ce matériau est entière, ainsi nous pouvons prédire que ce composé est un ferromagnétique HM. Les structures de bande pour notre composé présente un gap séparant les états anion et cation pour la polarisation spin-haut, tandis que pour la polarisation spin-bas, les bandes de valence et de conduction se recouvrent considérablement et il n'y a aucune bande interdite (gap) au niveau de Fermi. Ce résultat confirme la métallicité de ce matériau dans cet état. en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher Abdelhamid Ibn Badis University – Mostaganem/Faculty of Sciences and Technology/Génie des procédés /Génie des procédés des matériaux en_US
dc.subject Demi-metal, propriétés magnétiques, GGA-PBE, DFT, ferromagnétique. en_US
dc.title Introduction au calcul ab-initio par la DFT de la structure électronique. en_US


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