ETUDE D'UNE HETEROJONCTION DE TYPE N POUR APPLICATION PHOTOVOLTAÏQUE

dc.contributor.author	ABDELLACHE, MOURAD
dc.date.accessioned	2018-12-20T08:50:30Z
dc.date.available	2018-12-20T08:50:30Z
dc.date.issued	2016
dc.identifier.uri	http://e-biblio.univ-mosta.dz/handle/123456789/7329
dc.description.abstract	Letravailprésentédanscemémoire,consisteenl’étudedescellulessolairesHITdetypen(HeterojunctionwithIntrinsicThinLayer)développéparl’entrepriseSANYO. Parmilesméthodesquipermettentd’améliorerlerendementestl’augmentationdeb0 Pourobtenirdescellulesphotovoltaïquesdebonnequalitéavecdebonsrendements,ilestimportantd’augmenterlavaleurdeb0etainsideréduirelechampélectriqueàl’interfaceITO/p-a-Si:H Nousavonsobtenusainsiunrendementde19,50%pourunevaleurdeb0=1.5eV.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.relation.ispartofseries	MPHY46;
dc.title	ETUDE D'UNE HETEROJONCTION DE TYPE N POUR APPLICATION PHOTOVOLTAÏQUE	en_US
dc.type	Other	en_US