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dc.contributor.author |
BOUDEHEDJ, Mohammed Abdelwahid |
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dc.date.accessioned |
2019-01-16T13:56:28Z |
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dc.date.available |
2019-01-16T13:56:28Z |
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dc.date.issued |
2015 |
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dc.identifier.uri |
http://e-biblio.univ-mosta.dz/handle/123456789/8540 |
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dc.description.abstract |
Le travail de notre mémoire a concerné l’étude des propriétés structurales et électriques des cellules Tandem III-V à base de (InGaP/GaAs) par simulation numérique TCAD_Silvaco.
Les résultats obtenus à partir de cette simulation sont :
L’effet de l’éclairement influe beaucoup sur la réponse globale de la cellule étudiée ce qui traduit par une augmentation du rendement. Donc, l’éclairement est considéré comme un paramètre avantageux pour augmenter le rendement de conversion photovoltaïque.
La température a un effet néfaste sur le rendement de la cellule Tandem III-V.
La puissance délivrée par un générateur photovoltaïque dépend beaucoup plus de la variation de l’éclairement que la variation de la température.
L’empilement des cellules a un effet positif sur le rendement.
L’augmentation du niveau de dopage donne améliore toutes les caractéristiques de la cellule, ce qui conduit à une augmentation du rendement de cette cellule. Mais il ne faut pas dépasser le niveau de dopage optimal de cette cellule.
L’empilement permet donc de capter une grande partie du spectre solaire. ce qui conduit à une augmentation du rendement quantique externe EQE.
Dans le cadre d'une étude plus précise, il serait intéressant de poursuivre ce travail par une :
Etude des paramètres structurels de cette cellule.
Etude du choix des matériaux composant la cellule Tandem.
Etude d’empilement de plusieurs cellules (plus de deux couches).
Etude des phénomènes de recombinaison et recherche un modèle adéquat à toute la cellule Tandem.
L’étude de ces points pourrait améliorer le rendement de ce type de cellule Tandem. |
en_US |
dc.language.iso |
fr |
en_US |
dc.relation.ispartofseries |
MPHY23; |
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dc.title |
Etude des propriétés structurales et électriques des cellules Tandem III-V (multicouches : InGaP/GaAs) par simulation TCAD_SILVACO |
en_US |
dc.type |
Other |
en_US |
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