PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRIQUES DE TRANSISTOR DE PUISSANCE DE TYPE LD-MOS

Abstract

Ce mémoire a été consacré à l’étude de la structure du transistor de puissance LDMOSFET par le logiciel de simulation TCAD-SILVACO, en tenant compte de toutes les caractéristiques électriques de cette structure. Nous nous sommes particulièrement intéressés à la tension de claquage. Nous ayons fait varier pour cela deux paramètres (dimensions et dopage) pour observer leurs effets. Les résultats obtenus nous montre que :  L’épaisseur de l’oxyde influe beaucoup sur la valeur de la tension de claquage. Son augmentation traduit par une augmentation de la tension de claquage. Mais on est limité par une épaisseur que nous ne pouvons pas la dépasser pour que la grille ne soit pas isolée.  L’augmentation du dopage dans les zones de PBody et caisson N donne une tension de claquage élevée mais l’augmentation de la zone source/drain N+ (zone de drift) à un effet néfaste sur la tension de claquage.  Les dimensions du dispositif n’ont aucune influence sur la tension de claquage.  Le compromis Ron*BVds nous permet de proposer une structure performante (la tension de claquage atteint 60 volt). Comme perspectives de ce travail : Il serait judicieux de continuer ce travail en étudiant :  L’effet de la variation de la longueur de drift LD sur la tension de claquage.  L’effet du changement des matériaux (silicium et l’oxyde de silicium).  L’étude d’un transistor LDMOS sur un substrat SOI (Silicon On Insulator).