Transport électrique dans les nitrure III-V sous champ électrique élevé pour futures générations de composants - Boualem, Maamar (My University, 2024)
Ce projet de fin d'études porte sur l’étude du transport électronique dans les nitrures IIIV, en particulier le GaN (nitrure de gallium), sous l'effet de champs électriques élevés et à des températures élevées. À travers des modélisations et des simulations, nous avons exploré les impacts de la température sur des paramètres essentiels tels que la mobilité électronique, la vitesse de dérive, la vitesse de saturation, et la conductivité thermique. Les résultats montrent que l'augmentation de la température provoque une dégradation des performances du dispositif, notamment en réduisant la mobilité des porteurs et en augmentant la dissipation thermique, ce qui entraîne une diminution de la fiabilité. L’étude souligne également l'importance des substrats, comme le carbure de silicium (SiC), pour améliorer la dissipation de chaleur et maintenir les performances à des niveaux optimaux. Mots clés : Nitrures III-V, mobilité électronique, GaN, vitesse de dérive, conductivité thermique, auto-échauffement, substrat SiC Abstract V Abstract: This project explores electronic transport in III-V nitrides, particularly gallium nitride (GaN), under high electric fields and elevated temperatures. The increase in temperature reduces electron mobility and drift velocity, while increasing thermal dissipation. Silicon carbide (SiC) substrates improve thermal management, extending the lifespan of electronic devices. Keywords: III-V nitrides, electron mobility, GaN, drift velocity, thermal conductivity, self-heating, SiC substrate الملخص VI الملخص : نيتريد وباألخص ،V-III المجموعة نتريدات في اإللكتروني النقل التخرج مشروع هذا يستكشف درجة زيادة تؤدي .المرتفعة الحرارة ودرجات الكهربائية المجاالت تأثير تحت ،(GaN (الغاليوم ركيزة .الحراري التبديد في وزيادة االنجراف، وسرعة اإللكترونات تنقل في انخفاض إلى الحرارة اإللكتروني األجهزة عمر من يعزز مما الحرارة، إدارة تحسين في تساهم (SiC (السيليكون كربيد الكلمات المفتاحية .الحرارة درجة السيليكون، كربيد التنقل، ،(GaN (الغاليوم نيتريد ،V-III نتريدات :.
Keywords: Nitrures III-V; mobilité électronique; GaN; vitesse de dérive; conductivité thermique; auto-échauffement; substrat SiC