Abstract:
Les propriétés électroniques et magnétiques des matériaux II-VI (ZnS et CdS) et III-V (AlN et
GaN) dopés respectivement par des éléments non magnétiques (Al, Si, P et Cl) et (Be et O)
sont calculées en utilisant la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) implémentée dans
la faible électronégativité du dopant comparé à celle de l’atome hôte substitué (S ou N). Les
valeurs des moments magnétiques trouvées représentent la différence entre le numéro atomique
du dopant et l’atome hôte substitué. Tous les Moments magnétiques sont orientés dans la
même direction, indiquant un couplage ferromagnétique entre le dopant et les atomes hôtes
voisins. Les calculs de structures de bandes électroniques montrent que le ZnS dopé Al, Si et P
pourrait étre réalisé expérimentalement dans les conditions riches en Zn. Par conséquent, Al,
Si et P pourrait être des dopants non magnétiques prometteurs pour obtenir un semi –
conducteur magnétique dilué (DMS) à base de ZnS.
