Résumé:
Ce projet de fin d'études porte sur l’étude du transport électronique dans les nitrures IIIV, en particulier le GaN (nitrure de gallium), sous l'effet de champs électriques élevés
et à des températures élevées. À travers des modélisations et des simulations, nous
avons exploré les impacts de la température sur des paramètres essentiels tels que la
mobilité électronique, la vitesse de dérive, la vitesse de saturation, et la conductivité
thermique. Les résultats montrent que l'augmentation de la température provoque une
dégradation des performances du dispositif, notamment en réduisant la mobilité des
porteurs et en augmentant la dissipation thermique, ce qui entraîne une diminution de
la fiabilité. L’étude souligne également l'importance des substrats, comme le carbure
de silicium (SiC), pour améliorer la dissipation de chaleur et maintenir les performances
à des niveaux optimaux.
Mots clés :
Nitrures III-V, mobilité électronique, GaN, vitesse de dérive, conductivité thermique,
auto-échauffement, substrat SiC
Abstract
V
Abstract:
This project explores electronic transport in III-V nitrides, particularly gallium nitride
(GaN), under high electric fields and elevated temperatures. The increase in
temperature reduces electron mobility and drift velocity, while increasing thermal
dissipation. Silicon carbide (SiC) substrates improve thermal management, extending
the lifespan of electronic devices.
Keywords:
III-V nitrides, electron mobility, GaN, drift velocity, thermal conductivity, self-heating,
SiC substrate
الملخص
VI
الملخص :
نيتريد وباألخص ،V-III المجموعة نتريدات في اإللكتروني النقل التخرج مشروع هذا يستكشف
درجة زيادة تؤدي .المرتفعة الحرارة ودرجات الكهربائية المجاالت تأثير تحت ،(GaN (الغاليوم
ركيزة .الحراري التبديد في وزيادة االنجراف، وسرعة اإللكترونات تنقل في انخفاض إلى الحرارة
اإللكتروني األجهزة عمر من يعزز مما الحرارة، إدارة تحسين في تساهم (SiC (السيليكون كربيد
الكلمات المفتاحية
.الحرارة درجة السيليكون، كربيد التنقل، ،(GaN (الغاليوم نيتريد ،V-III نتريدات :.
