Résumé:
En conclusion, nous avons entamé une étude des propriétés structurales et électroniques des matériaux AlAs et GaAs en prévoyant la stabilité des phases à haute pression. Nos principaux résultats et conclusions peuvent être récapitulés comme suit :
(i) Les propriétés structurales calculées (le paramètre d'équilibre le module de compressibilité et sa dérivée dans les phases zinc blende, NiAs et CsCl dans le cas de l’AlAs et zinc blende, Cmcm et CsCl pour le GaAs sont en bon accord avec des valeurs rapportées dans la littérature.
(ii) La phase ZB est la phase la plus stable pour les deux composés AlAs et GaAs
(iii) La valeur de la pression de transition (ZBNiAs) pour l’AlAs et celle de GaAs (ZBCmcm) sont en très bon accord avec les valeurs expérimentales.
(iv) La phase CsCl est la phase la plus stable à haute pression.
(v) On distingue une dégénérescence des modes acoustiques et optiques au point . Cette dégénérescence est levée dans la direction Z.
- Absence de séparation des branches LO et TO (splitting LO-TO) pour les deux composé dans la structure CsCl au point .
