Résumé:
Nous avons étudié dans ce travail les propriétés de transport électronique dans un superréseau GaAs/ AlGaAs incluant l’effet de l'interaction électronique. Cette interaction est introduite dans l'équation de Schrödinger par un terme, que nous reformulons en un nouveau potentiel appelé potentiel effectif. Ce dernier varie très rapidement et de manière aléatoire. Pour résoudre une telle équation, nous avons fait appel à la technique de la matrice de transfert combinée à celle des ondes planes. Les résultats théoriques de la modélisation du coefficient de transport électronique dans le système à double barrières étudié AlxGa1-xAs nous permet d'observer une délocalisation des états pour de faibles taux d'interaction, et des états fortement localisés pour des taux d'interaction relativement élevés. Les résultats obtenus dans ce travail sont en accords avec ceux trouvés dans la littérature [21] [22].