Simulation des propriétés électriques et optiques de la cellule solaire à base de silicium amorphe

Abstract

Dans ce travail nous avons étudié les propriétés électriques et optiques de la cellule solaire à base de silicium amorphe. Cette étude a été effectuée par le logiciel de simulation TCAD-SILVACO. Les résultats obtenus à partir de cette simulation sont:  Les niveaux des pièges profonds ont un effet néfaste sur le rendement de la cellule solaire en silicium amorphe.  La majorité des porteurs photogénèrés est capturée par les pièges des niveaux profonds.  La densité d’états de queue de bande a un effet négatif sur le rendement.  Le courant du court-circuit ne dépend pas de la densité des états de queue de bande.  Pour obtenir un bon rendement on doit réduire l’épaisseur de la couche intrinsèque à 0.2 . Mais cette condition ne peut être réalisée à cause de contraintes de la technologie de fabrication des couches très minces.  La tension de circuit ouvert Voc est insensible à l’évolution de l’épaisseur de la couche intrinsèque. D’autre parte nous avons essayé d’optimiser la densité des niveaux des pièges profonds et la densité des états de queue de bande et l’épaisseur de la couche intrinsèque pour améliorer le rendement de cette cellule. Il serait intéressant pour améliorer le rendement de cette cellule solaire d’augmenter le nombre de couches minces et de faire varier leurs natures.