Étude ab-initio d’un nouveau composé Half-Heusler à base de Zr

Abstract

Dans le cadre de ce travail, nous avons analysé les propriétés structurales, élastiques et électroniques du composé Half-Heusler ZrCoSb, ainsi que les propriétés structurales et électroniques du composé ZrNiSb, en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéarisées avec potentiel total (FP-LAPW) basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), avec l’approximation GGA, telle qu’implémentée dans le code WIEN2k. Les résultats obtenus montrent que ZrCoSb est un semi-conducteur à gap indirect (L ⟶ X) avec une bande interdite d’environ 1,09 eV. Les constantes élastiques calculées indiquent qu’il est anisotrope, peu ductile et mécaniquement stable. Le composé ZrNiSb, quant à lui, présente un comportement métallique. Ses propriétés élastiques n’ont pas été étudiées dans ce travail en raison de sa nature métallique.