Étude ab-initio des propriétés optiques linéaires des composés semi-conducteurs III-V : AlP , GaP et InP

Abstract

Les semi-conducteurs III-V font l’objet d’un grand intérêt et suscitent de nombreuses recherches ces dernières années, que ce soit à des fins technologiques, pour leurs éventuelles applications dans les domaines de l’optoélectronique (les lasers, les lecteurs DVD, les télécommandes, les téléphones portables et autres dispositifs) et des télécommunications notamment, ou bien sur un plan purement fondamental [1-4]. Parmi ces semi-conducteurs, la famille des phosphures du groupe III-P AlP, GaP, InP qui acquièrent une importance particulière aussi bien que ses alliages, le phosphure de gallium et d’aluminium (GaAlP ) comme exemple. Ces matériaux sont des semi-conducteurs aux propriétés remarquables. Ces matériaux fournissent une gamme unique de couverture du spectre électromagnétique allant de l’IR jusqu’au l’UV lointain en passant par la gamme très importante du visible qui

correspond à la gamme de longueurs d’ondes Le phosphure d’aluminium (AlP) constitue une source d’hydrogène phosphoré, il est utilisé dans la fabrication des semi-conducteurs et dans la signalisation maritime. Il est également employé dans l’industrie agroalimentaire et comme rendenticide (un produit ayant la propriété de tuer des rats, des insectes, etc.). Il est hydrolysant (il réagit avec l’eau), c’est pourquoi il doit être maintenu au sec, car mélangé à l’eau ou à un acide, il donne un hydroxyde et de phosphine PH3, un gaz très dangereux, toxique et inflammable. Le phosphure de gallium (GaP) et d’indium (InP) sont employés comme des plates-formes pour une variété de composants de communications à fibre et compris les lasers, les diodes électroluminescentes (LED), les amplificateurs à semi-conducteurs, les modulateurs et des détecteurs photoélectriques optiques.